設備類型
產品簡介：
博納熱PECVD氣相沉積爐是一種基于等離子體化學氣相沉積技術的薄膜沉積設備，能夠對各種材料進行薄膜沉積，包括金屬、半導體、絕緣體等。可廣泛應用于微電子、光電、平板顯示、儲能等領域。
產品特點：
●最高溫度：1200℃(HRE電阻絲加熱)。
●智能化50段可編程自動控制。
●超溫保護功能，當溫度超過允許設定值自動斷電。
●安全保護當爐體漏電時自動斷電。
●爐殼結構，雙層風冷結構;表面溫度低于50℃。
●爐膛采用日本技術真空吸附成型的優質氧化鋁多晶纖維無機材料，保溫性能極佳。
●304不銹鋼KF快卸密封法蘭。
●升溫速率 ≦20℃/分。
●控溫精度 ±1℃。
●薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S。
●大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%。
●一致性高：用半導體行業的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%。
●工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定。
●標配直連式真空泵，極限真空度可達10Pa。
●標配三路質量流量計。
●等離子射頻電源：大射頻功率達500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。
可選配件：
● 真空系統可根據客戶需求選擇(最高真空度可達7x10-4Pa,分子泵真空系統)。
● 可提供混氣系統及質量流量計，滿足多路氣體的混合及流量的精準控制。
● 高清觸控屏
技術參數（可定制）：
產品名稱 | CVD化學氣相沉積系統 |
|---|---|
產品型號 |
BR-CVD/PECVD |
滑道 |
帶滑道，可滑動爐膛，實現快速升溫或冷卻功能 |
加熱區長度 |
400mm 單溫區/雙溫區 |
爐管尺寸 |
直徑60x1200mm 外徑x長 |
爐管材質 |
高純石英管 |
工作溫度 |
≤1100℃ |
溫控系統 |
人工智能PID儀表，自動控制溫度 |
溫控精度 |
±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能) |
加熱速率 |
建議 0~10℃/min |
加熱元件 |
高品質電阻絲 |
cvd設備真空系統
真空系統 |
|
額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
可通氣體 |
氮氣、氬氣等惰性氣體 |
測溫元件 |
熱電偶測溫 |
殼體結構 |
雙層殼體結構帶風冷系統 |
真空法蘭 |
帶有進氣口，另一端帶控壓閥，氣動泄壓閥和放氣閥。 |
供氣系統 |
四路精密質子流量計，通過觸屏來調節氣體流量 |
真空系統 |
旋片泵，真空度在空爐冷態可達1pa， 真空計：進口數顯真空計實時顯示真空度，精度高。 |
氣體定量系統 |
整體可以控制壓力范圍-20kpa到20kpa(相對壓力) |
額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
cvd設備詳細參數
型號 | 爐管直徑x加熱區長度（mm） | 爐管長度（mm） | 功率（kW） | 最高溫度（℃） | 氣體控制 | 真空度（Pa） |
|---|---|---|---|---|---|---|
BR-CVD-60 |
Φ60×400 |
1200 |
3 |
1200 |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
BR-CVD-80 |
Φ80×400 |
1200 |
4 |
1200 |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
BR-CVD-100 |
Φ80×400 |
1200 |
6 |
1200 |
3路 |
10Pa/7x10-3 |
