







產線測試(ICT、FCT、AOI、老化)全部正常,為何到了客戶手中卻頻頻燒毀?是過壓擊穿,還是工藝隱患?如何從一片燒毀的PCBA中找到根本原因? 本文將通過系統的失效分析流程,從外觀檢查到微觀成分分析,逐步排查問題根源,并提出切實可行的改進方案。 1.外觀檢查:燒毀位置高度一致 NG樣品PCBA底面P+、P-銅皮間均有明顯燒毀痕跡,正面邊緣雖有輕微刮傷,但無元件燒毀、連錫等異常;OK樣品對應位置完好。 NG樣品和OK樣品 PCBA外觀對比檢查形貌 燒毀形貌呈現典型的過壓或漏電打火特征,且NG樣品燒毀點完全相同,說明問題集中在P+/P-區域,而非隨機故障。 2.X-ray檢查:內層完好,燒毀僅限表層 X-ray透視顯示,燒毀僅發生在PCBA表層P+、P-銅皮之間,內層線路、元件內部均無異常。 NG樣品X-ray對比檢查形貌 排除了內層短路或元件內部擊穿的可能,進一步確認失效為表層局部問題。 3.在板阻值檢測:P+/P-兩端阻值異常偏低 用萬用表測量發現:NG樣品(NG1、NG2)的C3(P+、P-)兩端阻值分別僅為7.7Ω和33.6Ω,而OK樣品為無窮大;同時,T2(U3_pin2-pin3)兩端阻值也明顯偏低。 NG樣品(NG1、NG2)、OK樣品在板元件阻值檢測 初步懷疑U3及T2存在擊穿,或P+/P-間漏電。但R3、U2等元件阻值正常,排除了過流燒毀的可能。 4.電路參數檢測:后級P+/P-無輸出 上電3.7VDC后,NG樣品(NG1、NG2)的P+、P-輸出電壓幾乎為0V,而OK樣品正常輸出3.6V;前級B+、B-電路波形正常。 NG樣品(NG1、NG2)、OK樣品電路參數檢測 問題鎖定在后級P+、P-電路部分,前級電路功能完好,故障點進一步縮小。 5.功能驗證:P+/P-端存在短路漏電 在B+、B-接入3.7V,P+、P-接入5V模擬充電狀態下,NG樣品的P+、P-端電壓被拉低,電流迅速達到限流值101mA(實際無限制時會更大),而OK樣品充電正常。 NG樣品、OK樣品B+、B-端接3.7VDC,P+、P-端接入5VDC后功能驗證檢測 說明失效樣品的P+、P-端存在明顯短路或漏電,導致無法正常充電,且大電流會引起局部發熱。 6.半導體特性曲線檢測:元件完好,排除過壓擊穿 將T2、U3等元件解焊后進行I-V曲線測試,發現所有元件特性正常,無擊穿、漏電現象。 NG樣品、OK樣品T2、U3元件半導體特性曲線檢測 (備注:藍色線為OK樣品半導體特性曲線,紅色線為NG樣品半導體特性曲線) 過壓導致元件損壞的可能性被排除,漏電來源直指PCBA本身——即P+、P-銅皮間。 7.模擬漏電檢測:P+/P-間絕緣電阻僅個位數歐姆 將PCBA上所有元件拆除后,單獨對P+、P-兩端進行漏電測試: 萬用表:NG樣品(NG1、NG2)分別為8.2Ω和29.1Ω,OK樣品為無窮大; 漏電流測試儀:NG樣品(NG1、NG2)無法充電,OK樣品絕緣電阻高達7.977GΩ; 供電測試:3.8V供電下,NG樣品(NG1、NG2)漏電流超過50mA(無限流時會更大),OK樣品為0mA。 NG樣品(NG1、NG2)、OK樣品模擬漏電檢測結果 解釋:P+、P-間確實存在嚴重漏電,且漏電點就在燒毀位置。 8.Thermal EMMI紅外熱點定位:熱點就在燒毀處 3.8V/4mA注入P+、P-兩端,紅外熱像儀清晰捕捉到NG樣品燒毀位置出現紅色熱點,OK樣品無熱點。 NG樣品、OK樣品 Thermal EMMI紅外熱點定位分析 漏電位置與燒毀位置完全重合,進一步確認漏電是燒毀的直接原因。 9.微觀分析+成分分析:氯元素現身,腐蝕是元兇 SEM觀察燒毀點局部焦黑,未向四周擴散,符合漏電打火特征。 NG1樣品燒毀部位微觀分析形貌 EDS成分分析在燒毀點及周邊檢出Cl(氯)元素,而正常區域無氯。 NG樣品成分分析結果 氯在潮濕環境下可生成鹽酸(HCl),腐蝕銅皮形成導電通道,導致P+、P-間絕緣下降,最終在電池接入后發生漏電打火燒毀。 切片分析:內層無異常,排除異物刺穿 切片觀察顯示燒毀僅發生在表層P+、P-銅皮之間,內層銅厚均勻、無空洞、無異物刺穿。 NG樣品燒毀位置切片分析形貌 確認燒毀原因為表層腐蝕漏電,而非內層制造缺陷。 根本原因: NG樣品PCBA上P+、P-銅皮間燒毀的根本原因是氯元素污染引起的電化學腐蝕,導致銅皮間絕緣下降,在電池接入后形成漏電通道,最終發生打火燒毀。 改進建議: 加強PCB清洗工藝:確保助焊劑殘留、手指接觸污染等引入的氯離子被徹底清除。 控制生產環境:避免含氯物質(如某些清洗劑、汗液、包裝材料)接觸PCB。 增加三防漆涂覆:在P+、P-等高壓差區域加強絕緣保護。 優化PCB設計:適當增加P+、P-銅皮間距,降低漏電風險。 引入可靠性篩選:如高溫高濕老化測試,提前暴露潛在腐蝕漏電隱患。





